AlNAlGaN

AlNAlGaN

Atuando como um material fundamental para LEDs ultravioleta profundo (DUV), dispositivos de energia, dispositivos de RF e outros dispositivos optoeletrônicos de ponta.
Enviar inquérito
Specifications

Aplicativo

Modelo

Produto

Parâmetro

Funções

Atuando como um material fundamental para LEDs-ultravioleta profundo (DUV),

dispositivos de energia, dispositivos de RF e outros dispositivos optoeletrônicos de fronteira.

Bolacha AlN

aln-algan-01

Dimensão: 2 polegadas (φ50,8 mm±0,1 mm)
Substrato: safira polida-de lado único/duplo (Al₂O₃)
Faixa de espessura: 0,5 μm a 5 μm
Orientação do Cristal: Plano C-(0001)
Qualidade do cristal: requisitos de difração de raios X (XRD) de largura total com metade do máximo (FWHM), correspondentes às faixas de espessura de AlN:
Espessura 0.5 - 1 μm: (002) plano FWHM Menor ou igual a 120 segundos de arco; (102) plano FWHM Menor ou igual a 950 segundos de arco.
Espessura 1 - 2 μm: (002) plano FWHM Menor ou igual a 120 segundos de arco; (102) plano FWHM Menor ou igual a 600 segundos de arco.
Espessura 2 - 3 μm: (002) plano FWHM Menor ou igual a 150 segundos de arco; (102) plano FWHM Menor ou igual a 500 segundos de arco.
Espessura 3 - 4 μm: (002) plano FWHM Menor ou igual a 180 segundos de arco; (102) plano FWHM Menor ou igual a 400 segundos de arco.
Espessura 4 - 5 μm: (002) plano FWHM Menor ou igual a 180 segundos de arco; (102) plano FWHM Menor ou igual a 320 segundos de arco.
Lascas/rachaduras nas bordas: Menos de 2 mm.
Rugosidade da superfície: Ra <1,5 nm em uma área de 10 × 10 μm (medida por AFM).
Embalagem: Selada a vácuo-em um ambiente de sala limpa Classe 10.000. Embalado em cassetes de 25-peças ou recipientes de wafer único.

AlN: Superfície ultra{0}lisa

• Baixa densidade de defeitos

• Selado a vácuo-

Bolacha de AlGaN

2eeb0f71303f94309ffd3c20cab045bf

Dimensão: 2 polegadas (φ50,8 mm ±0,1 mm)
Substrato: safira polida-de lado único/duplo (Al₂O₃)
Faixa de espessura: 5 nm a 3000 nm
Orientação do Cristal: Plano C-(0001)
Energia Bandgap: Personalizável com base nas necessidades do cliente (via ajuste de composição Al)
Qualidade do cristal:Especificação de referência (para AlGaN de 1,5 μm com 60% Al):
(002) plano XRD FWHM Menor ou igual a 350 segundos de arco
(102) plano XRD FWHM Menor ou igual a 600 segundos de arco
Nota: A qualidade específica do cristal (valores XRD FWHM) é adaptada com precisão de acordo com a composição real do Al e a espessura da camada.
Lascas/rachaduras nas bordas: Menos de 2 mm.
Embalagem: Selada a vácuo-em um ambiente de sala limpa Classe 10.000. Embalado em cassetes de 25-peças ou recipientes de wafer único.

AlGaN: Bandgap ajustável

• Espessura 5 nm–3 µm

• Especificações XRD personalizadas

 

 

1

Chip LED UVC (CFAS20M)

O chip UVLEDTEK UVC LED (CFAS20M) é aplicado na desinfecção de água, esterilização de ar, esterilizadores portáteis e pequenos eletrodomésticos. Ele adota estrutura flip-chip para fornecer saída germicida UVC eficiente e estável. Ele apresenta alta eficiência de conversão eletro{4}}óptica, excelente dissipação de calor, longa vida útil, tamanho pequeno e fácil integração, ajudando os clientes a desenvolver produtos de desinfecção compactos e confiáveis.

Saber mais

 
2

Chip LED UVC (CFAS20A)

O chip UVLEDTEK UVC LED (CFAS20A) é usado em purificadores de água domésticos, equipamentos de desinfecção de ar e dispositivos de esterilização de média-potência. Ele fornece saída UVC estável e eficiente para inativar bactérias e vírus rapidamente. Possui estrutura robusta com eletrodos AuSn, boa confiabilidade, desempenho consistente e fácil condução, adequado para aplicação em massa em residências e

Saber mais

 

 

 

Enviar inquérito